華為 Pura70 系列拆機 國產零件數量增仍發現德國韓國零件
上月推出的華為 Pura70 系列，其國產零件的使用量引起外界關注，路透社聯同 iFixit 和 TechSearch International 對 Pura70 Pro 進行了拆解，揭示了其內部結構。結果顯示 Pura70 Ultra 採用了比以往任何華為型號都更多的中國零件。然而，Pura70 系列在性能方面落後市場競爭對手，特別是在處理器的表現。
報告指 Pura70 Ultra 採用的 Kirin 9010 處理器採用中芯國際的 7nm 製程技術，又稱 N+2。雖然它與 Kirin 9000S 有著類似的標識，但它是更新的版本。業內專家指新處理器的性能略有提升，但仍然是 7nm 製程，遠遠落後於目前市場上的最佳水平。中芯國際預計在年底前通過利用現有技術和專長轉向 5nm 技術，然而，他們需要時間才能達到商業生產規模。
值得注意的是，中國半導體產業目前落後於台積電、Samsung、Qualcomm 等有能力使用由荷蘭公司 ASML 製造的 EUV 極紫外光刻機的公司。台積電已經在研發 2nm 工藝，這相當於 3 代或 6 年的製程技術差距。根據 Geekbench 的測試結果，Kirin 9010 的性能僅比 Kirin 9000S 提升不到 10%，但比起最新 Android 旗艦機常用的 Snapdragon 8 Gen 3 低 30% 以上。
解拆還發現 Pura70 Pro 的集成電路變化最明顯，其 1TB NAND 由華為的 HiSilicon 製造。報導認為華為有可能自行生產 NAND 晶片，但更大機會的是由另一家本地公司設計和製造，而 HiSilicon 則負責 NAND 芯片的記憶體控制器和封裝。另外值得一提的是，華為在中國只提供 1TB 儲存量的 Pura70 手機，但海外市場則有 256GB 或 512GB 的版本。報導又提到 12GB RAM 由韓國 SK Hynix 供應，他們同樣受美國貿易限制影響，不可以向華為供貨，不過華為可能在制裁前儲備了大量 RAM 晶片，但 Mate60 和 Pura70 手機的高需求正在消耗這些庫存。
華為可能會依賴長鑫儲存（CXMT），這家中國 DRAM 晶圓廠最近生產了第一款完全本土的 LPDDR5 模塊。然而，DRAM 生產亦高度依賴 EUV 製造的晶片去提高性能和功耗效率。較令人驚訝的是，儘管有中國公司能夠本地生產陀螺儀和加速度計等感應器，但華為仍然向德國的 Bosch 採購 6 軸陀螺儀和加速度計 MEMS 感應器。
資料來源：gsmarena
