台積電、三星、SK Hynix 齊改 AI 晶片架構 散熱直接做到矽層面
AI 加速器嘅散熱要求已經推到傳統物理邊界之外，台積電、三星電子同 SK Hynix 依家由根本重新設計晶片架構，直接喺矽層面管理熱量。3D 堆疊同先進封裝越嚟越普及，傳統外置冷板對下一代數據中心已經唔夠用。
台積電喺矽片刻微通道 功耗五年內升至 4,100W
台積電正加速研究 microchannel cooling，直接喺矽片刻上次毫米通道，令液體冷卻劑直接流過發熱熱點。台積電估計，先進封裝功耗未來五年將由約 600W 擴大到 4,100W，散熱協同設計要喺早期就做，唔可以等到後期先補。
三星申請內置均熱板專利 SK Hynix iHBM 降熱阻逾三成
三星電子最近為內置均熱板設計申請專利，利用毛細作用喺晶片體內循環蒸發咗嘅冷卻劑。SK Hynix 就公布咗 iHBM 技術，修改記憶體堆疊嘅內部結構幾何，唔使直接用液體循環，都可以將熱阻降低超過 30%。
NVIDIA 液冷基準加雲端驗證 散熱能力升 3 倍
呢個轉向同 NVIDIA 對即將推出嘅 Vera Rubin 架構嘅要求一致，該架構以 45°C 溫水迴路建立 100% 液冷基準。Microsoft 等超大規模雲端商已經驗證咗呢個方法，用同散熱初創 Corintis 共同開發嘅微型葉脈微通道，將散熱能力提升 3 倍。
製造複雜度、良率風險同潛在液體污染仍然係商業化障礙，不過行業轉向已經好明確；直接微流體冷卻正由實驗性散熱補丁，轉變為高效能半導體設計嘅基礎支柱。
來源：SammyFans
